本发明提供一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法，该装置包括：可升降支架，由所述可升降支架支撑的滚轴丝杆平台，由步进电机控制以相对于所述滚轴丝杆平台移动的移动温场，通过固定支架固定于所述滚轴丝杆平台并横穿所述移动温场的石英玻璃炉管，置于所述石英玻璃炉管内部的生长容器。
本发明有利于实现晶体生长的动态或实时观察，且可以采用籽晶接种工艺，获取特定方向的晶体，同时，生长出的晶体顶部处于非受限状态，给晶体的膨胀预留了空间，有利于晶体内部应力的及时释放，减少晶体的开裂，本方法生长速度快，晶体生长的成功率高，制得的单晶体质量优异，因此大大降低了晶体的生产成本。

杜勇 陈俊锋 王绍华 孙世允

中国科学院上海硅酸盐研究所 上海硅酸盐研究所中试基地

200050 上海市长宁区定西路1295号

本发明提供一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法，该装置包括：可升降支架，由所述可升降支架支撑的滚轴丝杆平台，由步进电机控制以相对于所述滚轴丝杆平台移动的移动温场，通过固定支架固定于所述滚轴丝杆平台并横穿所述移动温场的石英玻璃炉管，置于所述石英玻璃炉管内部的生长容器。
本发明有利于实现晶体生长的动态或实时观察，且可以采用籽晶接种工艺，获取特定方向的晶体，同时，生长出的晶体顶部处于非受限状态，给晶体的膨胀预留了空间，有利于晶体内部应力的及时释放，减少晶体的开裂，本方法生长速度快，晶体生长的成功率高，制得的单晶体质量优异，因此大大降低了晶体的生产成本。