本发明提供一种单晶硅的制造方法，其使用了单晶提拉装置，该单晶提拉装置具备坩埚（22）、坩埚驱动部（23）、提拉部（26）、下端部形成为圆形筒状的热屏蔽体（27）及腔室（21），在该单晶硅的制造方法中，使用满足以下式（1）的热屏蔽体（27）来培育单晶硅（SM）。
R≤1.27×C……（1）；C：单晶硅（SM）的直筒部（SM3）的半径（mm）；R：热屏蔽体（27）的下端部的内径的半径（mm）。

鸣嶋康人 宇都雅之

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日本东京都

本发明提供一种单晶硅的制造方法，其使用了单晶提拉装置，该单晶提拉装置具备坩埚（22）、坩埚驱动部（23）、提拉部（26）、下端部形成为圆形筒状的热屏蔽体（27）及腔室（21），在该单晶硅的制造方法中，使用满足以下式（1）的热屏蔽体（27）来培育单晶硅（SM）。
R≤1.27×C……（1）；C：单晶硅（SM）的直筒部（SM3）的半径（mm）；R：热屏蔽体（27）的下端部的内径的半径（mm）。