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专利摘要

本发明公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法,所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成,颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米,整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态,可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰;自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。
本发明所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效,所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm

专利状态

基础信息

专利号
CN201710905082.8
申请日
2017-09-29
公开日
2018-02-16
公开号
CN107699954A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

张海斌 刘红

申请人

中国科学院光电技术研究所

申请人地址

610209 四川省成都市双流350信箱

专利摘要

本发明公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法,所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成,颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米,整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态,可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰;自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。
本发明所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效,所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm

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