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专利摘要

本发明属于纳米半导体材料领域,公开了一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法。
该制备方法包括:(a)选取反应容器,标记为上游区域、中心区域和下游区域,选取Se粉作为硒源,置于上游区域;(b)选取Pb

专利状态

基础信息

专利号
CN202010247872.3
申请日
2020-04-01
公开日
2020-06-19
公开号
CN111304747A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

周兴 张逊 翟天佑

申请人

华中科技大学

申请人地址

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

专利摘要

本发明属于纳米半导体材料领域,公开了一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法。
该制备方法包括:(a)选取反应容器,标记为上游区域、中心区域和下游区域,选取Se粉作为硒源,置于上游区域;(b)选取Pb

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