本发明的绝热性遮蔽构件，是在单晶制造装置(10)中配置于原料收纳部(3)与基板支承部(4)之间而被使用的构件，所述单晶制造装置(10)是从原料收纳部(3)使原料(M)升华从而在基板(S)上使原料(M)的单晶(W)生长的装置，其具备结晶生长用容器(2)、和配置于该结晶生长用容器(2)的外周的加热单元(5)，结晶生长用容器(2)具备位于其下部的原料收纳部(3)、和配置于原料收纳部(3)的上方而以与原料收纳部(3)对向的方式支承结晶生长用基板(S)的基板支承部(4)。

藤川阳平

昭和电工株式会社

日本东京都

本发明的绝热性遮蔽构件，是在单晶制造装置(10)中配置于原料收纳部(3)与基板支承部(4)之间而被使用的构件，所述单晶制造装置(10)是从原料收纳部(3)使原料(M)升华从而在基板(S)上使原料(M)的单晶(W)生长的装置，其具备结晶生长用容器(2)、和配置于该结晶生长用容器(2)的外周的加热单元(5)，结晶生长用容器(2)具备位于其下部的原料收纳部(3)、和配置于原料收纳部(3)的上方而以与原料收纳部(3)对向的方式支承结晶生长用基板(S)的基板支承部(4)。