揭露一种生产硅碳化物的方法。
本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。
该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。
将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。
亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。

R·V·德切夫 P·萨坦纳日哈瓦 A·M·安德凯威 D·S·李特尔

GTAT公司

美国新罕布什尔州

揭露一种生产硅碳化物的方法。
本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。
该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。
将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。
亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。