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专利摘要

本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法,将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料,熔融后进行单晶拉制,多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时,多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置。
本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产,利用固态的含镓回收料,代替了掺镓合金,不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金,不仅提高了回收料的利用率,同时避免了资源的浪费,节省了原材料,降低了生产成本。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811606677.4
申请日
2018-12-27
公开日
2019-03-12
公开号
CN109457292A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张文霞 高润飞 高树良 谷守伟 裘孝顺 武志军 郭志荣 刘伟 张全顺

申请人

内蒙古中环光伏材料有限公司

申请人地址

010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号

专利摘要

本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法,将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料,熔融后进行单晶拉制,多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时,多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置。
本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产,利用固态的含镓回收料,代替了掺镓合金,不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金,不仅提高了回收料的利用率,同时避免了资源的浪费,节省了原材料,降低了生产成本。

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