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专利摘要

一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法,将金属钒原材料与掺杂元素按预定比例配比,将配比好的原材料用熔炼等方法制成均匀的掺杂的钒块体,然后切成薄片,采用电流加热的热氧化法,在掺杂的钒片表面生成近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。
本发明的优点是:掺杂方法简单易行、成本低廉、对设备要求低、周期短,利于工业化实现。
通过该掺杂方法能有效的调节二氧化钒微米管阵列的相变温度,有利于将二氧化钒晶体优异的相变性能应用于红外探测器、热致变色、热能管理等领域。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910548753.9
申请日
2019-06-24
公开日
2019-12-06
公开号
CN110541200A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
暂失效-视为撤回

发明人

赵春旺 李子剑

申请人

上海海事大学

申请人地址

201306 上海市浦东新区海港大道1550号

专利摘要

一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法,将金属钒原材料与掺杂元素按预定比例配比,将配比好的原材料用熔炼等方法制成均匀的掺杂的钒块体,然后切成薄片,采用电流加热的热氧化法,在掺杂的钒片表面生成近矩形截面的、中空的、直立于掺杂的钒片表面的掺杂的二氧化钒微米管阵列。
本发明的优点是:掺杂方法简单易行、成本低廉、对设备要求低、周期短,利于工业化实现。
通过该掺杂方法能有效的调节二氧化钒微米管阵列的相变温度,有利于将二氧化钒晶体优异的相变性能应用于红外探测器、热致变色、热能管理等领域。

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