一种Li掺杂ZnO晶体薄膜的制备方法 下载此专利PDF版本

CN201611029842.5 晶体 薄膜 掺杂

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专利摘要

本发明涉及Li掺杂的p型ZnO晶体薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。
将Zn(CH

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 失效

基础信息

专利号
CN201611029842.5
申请日
2016-11-15
公开日
2017-05-17
公开号
CN106676633A
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
失效

发明人

王茂华 孙尉杰

申请人

常州大学

申请人地址

213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号

专利摘要

本发明涉及Li掺杂的p型ZnO晶体薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。
将Zn(CH

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