本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法。
该制备方法具体为：将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心温区并对其加热生成In2SnS4晶体材料，利用载气将In2SnS4晶体材料带入下游沉积区，从而在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，以此形成二维非层状In2SnS4晶体材料。
本发明将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合作为前驱体，能够降低中心温区的温度，减小制备过程中的能耗，实现制备过程的可控，同时本发明将衬底设置在下游沉积区，与中心温区保持一定的距离，能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。

周兴 左念 翟天佑

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法。
该制备方法具体为：将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心温区并对其加热生成In2SnS4晶体材料，利用载气将In2SnS4晶体材料带入下游沉积区，从而在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，以此形成二维非层状In2SnS4晶体材料。
本发明将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合作为前驱体，能够降低中心温区的温度，减小制备过程中的能耗，实现制备过程的可控，同时本发明将衬底设置在下游沉积区，与中心温区保持一定的距离，能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。