本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：在坩埚中填装熔融状态的硅熔体，然后调节温度，进入长晶阶段，在长晶过程中，向坩埚内持续或间断地通入空气直至长晶结束，所述空气的流量为1L/min‑6L/min，经退火冷却后，得到晶体硅。
本发明提供的晶体硅的制备方法，通过在晶体硅制备的长晶阶段通入空气，减少了晶体硅中的碳和碳化硅杂质含量，提高了晶体硅的出材率，降低了晶体硅的位错。
本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅位错较少，少子寿命较高，质量较好。

陈红荣 胡动力 徐云飞 孙庚昕 何亮

江西赛维LDK太阳能高科技有限公司

338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：在坩埚中填装熔融状态的硅熔体，然后调节温度，进入长晶阶段，在长晶过程中，向坩埚内持续或间断地通入空气直至长晶结束，所述空气的流量为1L/min‑6L/min，经退火冷却后，得到晶体硅。
本发明提供的晶体硅的制备方法，通过在晶体硅制备的长晶阶段通入空气，减少了晶体硅中的碳和碳化硅杂质含量，提高了晶体硅的出材率，降低了晶体硅的位错。
本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅位错较少，少子寿命较高，质量较好。