本发明公开了一种低应力氮化铝晶体的生长方法，该生长方法通过在生长过程中通过变温变压的方式，实现AlN晶体快速二维模式生长，降低了氮化铝单晶的应力。
得到晶体生长面不包含裂纹且含有自然生长台阶的氮化铝体单晶。
本申请采用控温工艺，生长过程中特定温度区间变温变压的方式，前期高压低温减小原子成核速率，增加初期成核规整度并抑制衬底分解失效，生长中期降压提高生长速率，减缓衬底分解，生长后期，升温加压，增加氮源供给避免3维岛状生长模式，减小沉积不均，应力较大的现象，降温后进行二次升温，降低晶体内部应力，让晶体表面裂纹愈合，使得碳化硅衬底分解，获得自剥离的高质量的氮化铝单晶。

杨丽雯 程章勇 刘欣宇

北京华进创威电子有限公司

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

本发明公开了一种低应力氮化铝晶体的生长方法，该生长方法通过在生长过程中通过变温变压的方式，实现AlN晶体快速二维模式生长，降低了氮化铝单晶的应力。
得到晶体生长面不包含裂纹且含有自然生长台阶的氮化铝体单晶。
本申请采用控温工艺，生长过程中特定温度区间变温变压的方式，前期高压低温减小原子成核速率，增加初期成核规整度并抑制衬底分解失效，生长中期降压提高生长速率，减缓衬底分解，生长后期，升温加压，增加氮源供给避免3维岛状生长模式，减小沉积不均，应力较大的现象，降温后进行二次升温，降低晶体内部应力，让晶体表面裂纹愈合，使得碳化硅衬底分解，获得自剥离的高质量的氮化铝单晶。