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专利摘要

本发明公开了一种低成本的氮化铝晶体生长方法,该方法使用石墨坩埚取代碳化钽坩埚,在石墨坩埚内衬一层碳化钽金属壳层,隔绝石墨坩埚,以防止被铝蒸汽腐蚀,坩埚内部使用带有孔的氮化铝陶瓷挡板将比表面积较大颗粒尺寸较小的氮化铝粉体料源夹在石墨坩埚和内部料源之间,起到初步过滤气体,与石墨杂质发生化学反应,去除氧原子,隔离碳杂质的作用;中下部夹层的中等尺寸颗粒氮化铝粉体起到二次过滤的作用,料源最上方采用大颗粒高度纯化的氮化铝料源进行生长,最终获得含有杂质较少,晶体质量较高(无裂纹,无微孔)的氮化铝大尺寸厘米级的氮化铝体单晶。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711474222.7
申请日
2017-12-29
公开日
2018-06-19
公开号
CN108179470A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

杨丽雯 程章勇 刘欣宇 杨雷雷

申请人

北京华进创威电子有限公司

申请人地址

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

专利摘要

本发明公开了一种低成本的氮化铝晶体生长方法,该方法使用石墨坩埚取代碳化钽坩埚,在石墨坩埚内衬一层碳化钽金属壳层,隔绝石墨坩埚,以防止被铝蒸汽腐蚀,坩埚内部使用带有孔的氮化铝陶瓷挡板将比表面积较大颗粒尺寸较小的氮化铝粉体料源夹在石墨坩埚和内部料源之间,起到初步过滤气体,与石墨杂质发生化学反应,去除氧原子,隔离碳杂质的作用;中下部夹层的中等尺寸颗粒氮化铝粉体起到二次过滤的作用,料源最上方采用大颗粒高度纯化的氮化铝料源进行生长,最终获得含有杂质较少,晶体质量较高(无裂纹,无微孔)的氮化铝大尺寸厘米级的氮化铝体单晶。

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