本发明涉及一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法，包括步骤如下：以Si粉和C粉作为原料，使C粉过量，在真空高温条件下制备富碳SiC粉料；以富碳SiC粉料为原料，采用物理气相传输法，制备SiC单晶；或者，采用物理气相传输法，将Si/C＝1:1的SiC粉料置于石墨坩埚底部，并在生长低温区放置C粉，制备SiC单晶。
本发明中降低SiC单晶中的碳包裹物的方法，在降低晶体中碳包裹物的同时，不会在晶体中产生额外的微管、多型夹杂等缺陷，能够大幅度提高SiC单晶的质量。

谢雪健 徐现刚 陈秀芳 杨祥龙 胡小波

山东大学

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

本发明涉及一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法，包括步骤如下：以Si粉和C粉作为原料，使C粉过量，在真空高温条件下制备富碳SiC粉料；以富碳SiC粉料为原料，采用物理气相传输法，制备SiC单晶；或者，采用物理气相传输法，将Si/C＝1:1的SiC粉料置于石墨坩埚底部，并在生长低温区放置C粉，制备SiC单晶。
本发明中降低SiC单晶中的碳包裹物的方法，在降低晶体中碳包裹物的同时，不会在晶体中产生额外的微管、多型夹杂等缺陷，能够大幅度提高SiC单晶的质量。