本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。

高攀 忻隽 孔海宽 刘学超 施尔畏

安徽微芯长江半导体材料有限公司

244000 安徽省铜陵市经济开发区西湖三路

本发明涉及一种晶体生长装置及晶体生长方法，所述晶体生长装置包括：具有石墨顶盖的石墨坩埚，其中，石墨坩埚底部用于放置多晶原料，石墨顶盖朝向底部一侧固定有仔晶；包裹在石墨坩埚外周但露出至少部分石墨顶盖的外周保温层；生长炉，在所述生长炉的下部放置包裹有外周保温层的石墨坩埚，在且在该生长炉的下部的内周设置有用于调节生长炉内温度的多个感应线圈，所述生长炉还具有充放气接口以选择性地与真空源或惰性气体源连接；设置在所述石墨坩埚上方可升降的上保温层。