本发明公开了一种高质量氮化铝单晶的生长方法，该方法中初始沉积层采用大氮化铝/碳化硅混合填料模式，随后采用高纯氮化铝粉料，生长过程中变温变压，在坩埚中氮化铝填料层从下到上第一层为氮化铝粉料层，第二层为氮化铝烧结后颗粒层，第三层为氮化铝和碳化硅的颗粒混合料，第四层为氮化铝和碳化硅的颗粒混合料源。
本发明通过在氮化铝粉料中掺杂碳化硅粉料，在不同夹层采用不同的碳化硅:氮化铝配比，缓解碳化硅衬底和氮化铝单晶之间的生长应力，生长过程中采用变温变压的工艺，控制升降温速度，料源体从上到下，碳化硅成分逐渐降低，通过调节碳化硅在料源中的浓度以此调节氮化铝单晶中的碳化硅含量，以此降低氮化铝单晶的生长应力。

杨丽雯 程章勇 刘欣宇 杨雷雷

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本发明公开了一种高质量氮化铝单晶的生长方法，该方法中初始沉积层采用大氮化铝/碳化硅混合填料模式，随后采用高纯氮化铝粉料，生长过程中变温变压，在坩埚中氮化铝填料层从下到上第一层为氮化铝粉料层，第二层为氮化铝烧结后颗粒层，第三层为氮化铝和碳化硅的颗粒混合料，第四层为氮化铝和碳化硅的颗粒混合料源。
本发明通过在氮化铝粉料中掺杂碳化硅粉料，在不同夹层采用不同的碳化硅:氮化铝配比，缓解碳化硅衬底和氮化铝单晶之间的生长应力，生长过程中采用变温变压的工艺，控制升降温速度，料源体从上到下，碳化硅成分逐渐降低，通过调节碳化硅在料源中的浓度以此调节氮化铝单晶中的碳化硅含量，以此降低氮化铝单晶的生长应力。