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专利摘要

本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法,包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚,反应釜外围设有加热器,所述坩埚内设有隔板,该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区,生长区底部放置有籽晶,隔板下部设有导通孔,该导通孔使生长区和预生长区相互连通,隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。
通过对反应釜的倾斜操作,使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换,使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高,使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。

专利状态

基础信息

专利号
CN201510365581.3
申请日
2015-06-29
公开日
2017-04-26
公开号
CN104894644B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈蛟 李成明 刘南柳 巫永鹏 郑小平 李顺峰 张国义

申请人

北京大学东莞光电研究院

申请人地址

523000 广东省东莞市松山湖创新科技园1号楼418室

专利摘要

本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法,包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚,反应釜外围设有加热器,所述坩埚内设有隔板,该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区,生长区底部放置有籽晶,隔板下部设有导通孔,该导通孔使生长区和预生长区相互连通,隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。
通过对反应釜的倾斜操作,使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换,使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高,使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。

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