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专利摘要

一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,涉及磷化铟单晶生长制备技术领域,尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀,单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通,所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上,靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。
本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,设计科学,结构合理,通过机械泵与单晶炉连接结构,保证了单晶炉在充入氮气前,炉内的真空度达到所需标准,能有效改善磷化铟单晶的质量,有效降低氮气充入单晶炉内时压强,以便于控制单晶炉内的压强差,防止石英管发生爆炸,进而降低生产成本,提高生产效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201721587953.8
申请日
2017-11-24
公开日
2018-06-08
公开号
CN207468775U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

囤国超 肖祥江 吕春富 董汝昆 柳廷龙 陈朝向 杨嗣文 梁鹏

申请人

云南鑫耀半导体材料有限公司 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 昆明云锗高新技术有限公司

申请人地址

650000 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块

专利摘要

一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,涉及磷化铟单晶生长制备技术领域,尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀,单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通,所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上,靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。
本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,设计科学,结构合理,通过机械泵与单晶炉连接结构,保证了单晶炉在充入氮气前,炉内的真空度达到所需标准,能有效改善磷化铟单晶的质量,有效降低氮气充入单晶炉内时压强,以便于控制单晶炉内的压强差,防止石英管发生爆炸,进而降低生产成本,提高生产效率。

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