本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法，包括氧化锆保温砖(1)、石英筒(2)、水冷铜电极(3)、铱金坩埚(4)、热交换器(6)、红外测温仪(7)，所述的铱金坩埚(4)置于氧化锆保温砖(1)形成的晶体生长炉炉腔内，氧化锆保温砖(1)外侧依次设有石英筒(2)和水冷铜电极(3)，所述的热交换器(6)置于铱金坩埚(4)底部，所述的红外测温仪(7)连接铱金坩埚(4)，铱金坩埚(4)内装有氧化镓溶液(8)和籽晶(5)。
与现有技术相比，本发明用热交换法长晶，提高效率，降低生产成本；同时，生长出的晶体质量优异、应力小、位错密度低、晶体完整性和光学均匀性好、可以提高氧化镓材料的利用率、简化加工程序。

王东海 徐军 唐慧丽 罗平 何诺天 郭超 李秋 王庆国

同济大学

200092 上海市杨浦区四平路1239号

本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法，包括氧化锆保温砖(1)、石英筒(2)、水冷铜电极(3)、铱金坩埚(4)、热交换器(6)、红外测温仪(7)，所述的铱金坩埚(4)置于氧化锆保温砖(1)形成的晶体生长炉炉腔内，氧化锆保温砖(1)外侧依次设有石英筒(2)和水冷铜电极(3)，所述的热交换器(6)置于铱金坩埚(4)底部，所述的红外测温仪(7)连接铱金坩埚(4)，铱金坩埚(4)内装有氧化镓溶液(8)和籽晶(5)。
与现有技术相比，本发明用热交换法长晶，提高效率，降低生产成本；同时，生长出的晶体质量优异、应力小、位错密度低、晶体完整性和光学均匀性好、可以提高氧化镓材料的利用率、简化加工程序。