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专利摘要

本发明一种高质量LBO晶体生长方法,采用碳酸锂和硼酸为原料,熔盐炉为生长装置,电炉丝加热,熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0~1℃,籽晶转速20~30r/min,炉子上方保温盖呈梯形状,中间厚,两边薄,生长得到高品质晶体。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911188403.2
申请日
2019-11-28
公开日
2020-04-03
公开号
CN110952142A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

王昌运 陈伟 谢发利 张星 陈秋华

申请人

福建福晶科技股份有限公司

申请人地址

350003 福建省福州市软件大道89号F区9号楼

专利摘要

本发明一种高质量LBO晶体生长方法,采用碳酸锂和硼酸为原料,熔盐炉为生长装置,电炉丝加热,熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0~1℃,籽晶转速20~30r/min,炉子上方保温盖呈梯形状,中间厚,两边薄,生长得到高品质晶体。

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