本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法，其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。
本发明利用横向平移结晶法，同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点，制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。

顾跃 毛世平 丁雨憧

中国电子科技集团公司第二十六研究所

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本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法，其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。
本发明利用横向平移结晶法，同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点，制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。