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专利摘要

本发明提供了一种基于临界再结晶残余应力的再结晶控制方法,通过试验的方式建立一种基于临界再结晶应力控制再结晶的模型,根据该模型结合定向凝固的数值模拟工艺,实现对再结晶缺陷的预测,从而达抑制与消除再结晶现象的目的。
本发明能够实现在初始设计过程中,避免由于结构的不合理设计引起的局部应力集中,导致单晶铸件在后期的热处理中出现再结晶的现象,该技术从由结构的不合理设计引起再结晶缺陷的源头出发,从根本上解决了由于细节结构的不完善引起的再结晶,为叶片设计工作者提供一种系统解。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811009741.0
申请日
2018-08-31
公开日
2019-01-22
公开号
CN109255175A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

卜昆 邱飞 张现东 田国良 任帅军 张雅莉 陈桂花 蔺洁玉

申请人

西北工业大学

申请人地址

710072 陕西省西安市友谊西路127号

专利摘要

本发明提供了一种基于临界再结晶残余应力的再结晶控制方法,通过试验的方式建立一种基于临界再结晶应力控制再结晶的模型,根据该模型结合定向凝固的数值模拟工艺,实现对再结晶缺陷的预测,从而达抑制与消除再结晶现象的目的。
本发明能够实现在初始设计过程中,避免由于结构的不合理设计引起的局部应力集中,导致单晶铸件在后期的热处理中出现再结晶的现象,该技术从由结构的不合理设计引起再结晶缺陷的源头出发,从根本上解决了由于细节结构的不完善引起的再结晶,为叶片设计工作者提供一种系统解。

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