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专利摘要

本发明属于晶体硅太阳能电池硅片制备技术领域,具体涉及一种新型铸锭坩埚贴膜及其制备方法,是在现有铸锭坩埚内壁表面粘贴薄膜取代现有坩埚内表面喷涂工艺。
坩埚内壁薄膜类型可根据铸锭需要进行多种选择,坩埚侧壁可粘贴和硅晶格常数相比失配度大于50%的物质的薄膜,底部可粘贴和硅晶格失配度小于10%的物质的薄膜。
薄膜最下面一层为含有硅胶成分的粘合剂,中间层为高纯的纤维织物,最上面一层可以是氮化硅、氧化锆、硅的氧化物等。
薄膜的最上面一层物质可通过电泳、PEVCD等方法沉积在纤维织物表面,具有晶向一致性特性。
新型铸锭坩埚薄膜通过精细化制备,可减少硅晶体缺陷,提高硅晶体整体品质,从而增加硅锭整体的经济效益。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910354304.0
申请日
2019-04-29
公开日
2019-06-21
公开号
CN109913929A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

袁宁一 权祥 丁建宁

申请人

常州大学 江苏大学

申请人地址

213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号

专利摘要

本发明属于晶体硅太阳能电池硅片制备技术领域,具体涉及一种新型铸锭坩埚贴膜及其制备方法,是在现有铸锭坩埚内壁表面粘贴薄膜取代现有坩埚内表面喷涂工艺。
坩埚内壁薄膜类型可根据铸锭需要进行多种选择,坩埚侧壁可粘贴和硅晶格常数相比失配度大于50%的物质的薄膜,底部可粘贴和硅晶格失配度小于10%的物质的薄膜。
薄膜最下面一层为含有硅胶成分的粘合剂,中间层为高纯的纤维织物,最上面一层可以是氮化硅、氧化锆、硅的氧化物等。
薄膜的最上面一层物质可通过电泳、PEVCD等方法沉积在纤维织物表面,具有晶向一致性特性。
新型铸锭坩埚薄膜通过精细化制备,可减少硅晶体缺陷,提高硅晶体整体品质,从而增加硅锭整体的经济效益。

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