目录

专利摘要

本发明涉及一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计,包括以下步骤:1)绘制坩埚内壁立体图,2)计算坩埚理论容积,3)对单晶材料进行物性分析,4)确定需要装填的单晶原料重量,5)坩埚内部空间的立体拆分方式确认,6)测试单晶原料粉体成型参数与建立数据库,7)成型工艺方案确认与工艺计算,8)选择模具类型,9)选择成型设备,10)编制成型工艺卡。
本发明公开的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计,设计过程合理科学,过程简单可控,单晶原料的成型生产容易实现;同时单晶组合原料依据实际坩埚尺寸进行设计,使用方便,无间隙,装填密度大,实现了单晶原料的有序装填,促进单晶生长的标准化操作,提高了设备使用率;具备显著的社会效益和经济效益。

专利状态

基础信息

专利号
CN201610145164.2
申请日
2016-03-15
公开日
2017-09-22
公开号
CN107190310A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
暂失效-视为撤回

发明人

李刚 司晓晖

申请人

李刚 司晓晖

申请人地址

150010 黑龙江省哈尔滨市道里区顾乡大街新天地小区高层5号楼2单元1502室

专利摘要

本发明涉及一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计,包括以下步骤:1)绘制坩埚内壁立体图,2)计算坩埚理论容积,3)对单晶材料进行物性分析,4)确定需要装填的单晶原料重量,5)坩埚内部空间的立体拆分方式确认,6)测试单晶原料粉体成型参数与建立数据库,7)成型工艺方案确认与工艺计算,8)选择模具类型,9)选择成型设备,10)编制成型工艺卡。
本发明公开的一种高装填密度的单晶组合原料成型工艺设计,设计过程合理科学,过程简单可控,单晶原料的成型生产容易实现;同时单晶组合原料依据实际坩埚尺寸进行设计,使用方便,无间隙,装填密度大,实现了单晶原料的有序装填,促进单晶生长的标准化操作,提高了设备使用率;具备显著的社会效益和经济效益。

相似专利技术