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专利摘要

一种准单晶薄膜及其制备方法,是将表面具有<111>优选方向的金属薄膜基于机械拉伸力的作用,使得晶粒的排列更为有序,来获得具有三轴优选方向的准单晶薄膜,此准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有<211>与<110>的优选方向,且维持其表面<111>的优选方向。
本发明可用于生产高度异向性的大面积准单晶薄膜,亦可应用于成长二维材料或其他异向性特征结构的开发。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910789903.5
申请日
2019-08-26
公开日
2021-06-25
公开号
CN110607550B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈智 李昱瑾

申请人

财团法人交大思源基金会

申请人地址

中国台湾新竹市大学路1001号

专利摘要

一种准单晶薄膜及其制备方法,是将表面具有<111>优选方向的金属薄膜基于机械拉伸力的作用,使得晶粒的排列更为有序,来获得具有三轴优选方向的准单晶薄膜,此准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有<211>与<110>的优选方向,且维持其表面<111>的优选方向。
本发明可用于生产高度异向性的大面积准单晶薄膜,亦可应用于成长二维材料或其他异向性特征结构的开发。

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