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专利摘要

本发明公开了一种铜纳米线及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将纯金属Fe、Mn、Cu和S混合,加热获得均匀金属熔液后进行快淬,获得单一相结构的FeMnCuS预合金;2)将单一相结构的FeMnCuS预合金进行腐蚀液腐蚀处理,之后对腐蚀完的溶液过滤,得到残留物;3)对残留物清洗并在惰性气体中干燥,即可获得铜纳米线。
该铜纳米线具有<111>方向生长的单晶结构,其宽度为50~200纳米,长度为10~100μm。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910401737.7
申请日
2019-05-15
公开日
2019-08-09
公开号
CN110106551A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张旭海 肖敬才 边坚勇 曾宇乔 柴聘聘 郑云西 方峰 涂益友 蒋建清

申请人

东南大学

申请人地址

211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

专利摘要

本发明公开了一种铜纳米线及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将纯金属Fe、Mn、Cu和S混合,加热获得均匀金属熔液后进行快淬,获得单一相结构的FeMnCuS预合金;2)将单一相结构的FeMnCuS预合金进行腐蚀液腐蚀处理,之后对腐蚀完的溶液过滤,得到残留物;3)对残留物清洗并在惰性气体中干燥,即可获得铜纳米线。
该铜纳米线具有<111>方向生长的单晶结构,其宽度为50~200纳米,长度为10~100μm。

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