本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)在加热装置中，沿着气流方向依次放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的表面覆盖有分子筛；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述加热装置中通入保护性气体，升温至所述过渡金属氧化物源的温度达到化学气相沉积温度、硫族单质源的温度达到单质挥发温度，进行化学气相沉积，得到所述二维过渡金属硫族化合物晶体。
通过本发明的方法能够制备得到大面积、均匀的单层或多层二维过渡金属硫族化合物晶体，能够用于偏振光电探测或拓扑场效应晶体管。

冯晴亮 朱美洁 李萌 郑建邦

西北工业大学

710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号

本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)在加热装置中，沿着气流方向依次放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的表面覆盖有分子筛；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述加热装置中通入保护性气体，升温至所述过渡金属氧化物源的温度达到化学气相沉积温度、硫族单质源的温度达到单质挥发温度，进行化学气相沉积，得到所述二维过渡金属硫族化合物晶体。
通过本发明的方法能够制备得到大面积、均匀的单层或多层二维过渡金属硫族化合物晶体，能够用于偏振光电探测或拓扑场效应晶体管。