一种磁光晶体、磁光器件及制备方法 下载此专利PDF版本

CN202010446400.0 晶体 器件

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专利摘要

本发明涉及一种磁光晶体、磁光器件及制备方法，属于光学晶体领域。
该磁光晶体的化学式为KTb

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN202010446400.0
申请日
2020-05-25
公开日
2021-07-27
公开号
CN111621849B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

李兴旺 梁杰通 杨宇 芦佳 王永国 郑东阳

申请人

北京雷生强式科技有限责任公司

申请人地址

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号11所南门

专利摘要

本发明涉及一种磁光晶体、磁光器件及制备方法，属于光学晶体领域。
该磁光晶体的化学式为KTb

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