本发明提供一种掺镓和掺氮的单晶硅棒的制备方法，所述制备方法包括：使单质镓与多晶硅在单晶炉内混合，通过直拉拉晶的方式形成掺镓直拉单晶硅；在直拉单晶硅形成的过程中，通入不同混合比例的氮气和气氩的混合气体，使氮元素进入掺镓直拉单晶硅中。
通过在单晶硅棒中掺杂镓来制备p型单晶，可以有效地降低p型单晶的光衰，提高电池片的转换效率。
此外，在单晶硅棒的拉制过程中使用氮气作为掺杂气体，使氮元素进入单晶硅棒中，提高单晶硅棒的机械强度，改善单晶硅棒内的杂质分布状况，有利于单晶硅片薄片化以及品质的提升。

何丽珠 杨俊 汪沛渊 刘礼猛 徐翔 白枭龙 尚伟泽

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本发明提供一种掺镓和掺氮的单晶硅棒的制备方法，所述制备方法包括：使单质镓与多晶硅在单晶炉内混合，通过直拉拉晶的方式形成掺镓直拉单晶硅；在直拉单晶硅形成的过程中，通入不同混合比例的氮气和气氩的混合气体，使氮元素进入掺镓直拉单晶硅中。
通过在单晶硅棒中掺杂镓来制备p型单晶，可以有效地降低p型单晶的光衰，提高电池片的转换效率。
此外，在单晶硅棒的拉制过程中使用氮气作为掺杂气体，使氮元素进入单晶硅棒中，提高单晶硅棒的机械强度，改善单晶硅棒内的杂质分布状况，有利于单晶硅片薄片化以及品质的提升。