本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置,利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。
该设备特征为:1.至少具有两个温度控制区域,分别用于材料的升华和单晶的生长;2.两个温度控制区域相邻平行,温度可快速、独立调控;3.第一层单晶生长结束后,无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换,进行后续第二层单晶生长。
后藤修 陈默 曾兴为 魏潇赟 孟鸿
北京大学深圳研究生院
518000 广东省深圳市西丽深圳大学城北大园区H栋208室
本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置,利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。
该设备特征为:1.至少具有两个温度控制区域,分别用于材料的升华和单晶的生长;2.两个温度控制区域相邻平行,温度可快速、独立调控;3.第一层单晶生长结束后,无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换,进行后续第二层单晶生长。