本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。
此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。
碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差最大5×10

迈克尔·沃格尔 伯恩哈德·埃克 拉尔夫·穆勒 马提亚斯·施托克迈尔 阿恩德-迪特里希·韦伯

硅晶体有限公司

德国纽伦堡

本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。
此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。
碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差最大5×10