| 331 |
一种通过反应性气体除H |
CN202010197973.4 |
2020-03-19 |
有效专利 |
| 332 |
一种混合阳离子钙钛矿晶体的制备方法 |
CN202010166985.0 |
2020-03-11 |
有效专利 |
| 333 |
一种用于单晶硅生长炉的坩埚装置 |
CN201910682441.7 |
2019-07-26 |
有效专利 |
| 334 |
一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的装置 |
CN202010979553.1 |
2020-09-17 |
审查中-实审 |
| 335 |
一种电弧放电装置 |
CN202010557022.3 |
2020-06-18 |
有效专利 |
| 336 |
一种半导体级硅单晶炉的排气装置 |
CN202011282707.8 |
2020-11-16 |
有效专利 |
| 337 |
单晶炉 |
CN201911202308.3 |
2019-11-29 |
审查中-实审 |
| 338 |
一种在涂层制备扩散过程中抑制单晶再结晶的方法 |
CN202010991843.8 |
2020-09-18 |
发明公开 |
| 339 |
一种砷化镓晶片及其制备方法 |
CN201811619886.2 |
2018-12-28 |
有效专利 |
| 340 |
一种半导体材料晶片的抛光方法 |
CN201911017300.X |
2019-10-24 |
有效专利 |
| 341 |
SiC晶片及SiC晶片的制造方法 |
CN201780079551.3 |
2017-12-22 |
审查中-实审 |
| 342 |
一种晶体与晶体托的分离方法 |
CN202010574084.5 |
2020-06-22 |
有效专利 |
| 343 |
SiC锭及SiC锭的制造方法 |
CN201811539291.6 |
2018-12-17 |
有效专利 |
| 344 |
由单晶硅构成的半导体晶片和用于制备由单晶硅构成的半导体晶片的方法 |
CN201780076669.0 |
2017-12-08 |
有效专利 |
| 345 |
空气喷射装置、液环真空泵及拉晶炉 |
CN201911295810.3 |
2019-12-16 |
审查中-实审 |
| 346 |
在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法 |
CN201810204992.8 |
2018-03-13 |
有效专利 |
| 347 |
扩散炉结构 |
CN201921801104.7 |
2019-10-24 |
有效专利 |
| 348 |
一种提高CVD钻石特定区域氮原子浓度的方法 |
CN202010256294.X |
2020-04-02 |
审查中-实审 |
| 349 |
一种石英炉管 |
CN201921740880.0 |
2019-10-17 |
有效专利 |
| 350 |
一种3C-碳化硅二维单晶纳米片的制备方法 |
CN202010257434.5 |
2020-04-03 |
审查中-实审 |
| 351 |
一种外延炉固定安装用底座 |
CN201921081613.7 |
2019-07-11 |
有效专利 |
| 352 |
一种单晶硅片的单面制绒工艺及太阳能电池片的制备方法 |
CN202010811851.X |
2020-08-13 |
审查中-实审 |
| 353 |
掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法及二氧化钒微米管阵列和二氧化钒微米管 |
CN202010542670.1 |
2020-06-15 |
有效专利 |
| 354 |
可便捷拆装清理式单晶炉 |
CN202020949520.8 |
2020-05-29 |
有效专利 |
| 355 |
一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置 |
CN201710499560.X |
2017-06-27 |
有效专利 |
| 356 |
一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法 |
CN201810163115.0 |
2018-02-26 |
审查中-公开 |
| 357 |
一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法 |
CN202011187018.9 |
2020-10-30 |
审查中-实审 |
| 358 |
一种制备Al |
CN201810609629.4 |
2018-06-13 |
审查中-实审 |
| 359 |
氯化铯晶体及制备方法和应用 |
CN202010952941.0 |
2020-09-11 |
审查中-实审 |
| 360 |
一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法 |
CN201911163336.9 |
2019-11-25 |
有效专利 |
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