| 361 |
一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的方法 |
CN202010981860.3 |
2020-09-17 |
审查中-实审 |
| 362 |
一种银碘基杂化二阶非线性光学材料及其合成与应用 |
CN201610829859.2 |
2016-09-18 |
授权 |
| 363 |
集成有工程化衬底的电子功率器件 |
CN201780062397.9 |
2017-08-23 |
审查中-实审 |
| 364 |
拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器 |
CN201910187266.4 |
2019-03-13 |
审查中-实审 |
| 365 |
一种用于结晶过程的晶种制备方法 |
CN201910571358.2 |
2019-06-28 |
审查中-实审 |
| 366 |
一种利用水浴加热在基底上制备MOF片的方法 |
CN201910824136.7 |
2019-09-02 |
审查中-公开 |
| 367 |
用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备，以及半导体晶片 |
CN201880041643.7 |
2018-06-04 |
审查中-实审 |
| 368 |
一种制备金属配合物单晶的培养装置 |
CN201920957791.5 |
2019-06-25 |
有效专利 |
| 369 |
一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法 |
CN201711391604.3 |
2017-12-21 |
有效专利 |
| 370 |
固相熔剂外延生长法 |
CN200580009225.2 |
2005-03-22 |
失效 |
| 371 |
一种制备高质量石墨单晶的方法 |
CN201510158112.4 |
2015-04-03 |
授权 |
| 372 |
用于外延生长单晶的具有无差别点的单晶钙钛矿固溶体 |
CN201780067571.9 |
2017-10-31 |
审查中-实审 |
| 373 |
基于离子插层辅助的锑烯、铋烯的液相剥离方法 |
CN201810464163.3 |
2018-05-15 |
审查中-实审 |
| 374 |
一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法 |
CN201810523294.4 |
2018-05-28 |
审查中-实审 |
| 375 |
镁镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 |
CN201810347694.4 |
2018-04-18 |
暂失效-视为撤回 |
| 376 |
热交换晶体生长系统、冷却气体流量控制方法及装置 |
CN201410436153.0 |
2014-08-29 |
授权 |
| 377 |
一种适用于多光谱的光学晶体材料制备技术设备 |
CN201810392960.5 |
2018-04-27 |
授权 |
| 378 |
一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法 |
CN201711434604.7 |
2017-12-26 |
授权 |
| 379 |
一种掺铈溴化镧闪烁晶体及其生长方法 |
CN202010378076.3 |
2020-05-07 |
审查中-实审 |
| 380 |
一种制备二维四氧化三铁单晶的方法 |
CN201810947517.X |
2018-08-20 |
有效专利 |
| 381 |
一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法 |
CN202010604586.8 |
2020-06-29 |
有效专利 |
| 382 |
制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法及制造晶体管的方法 |
CN201710403667.X |
2017-06-01 |
有效专利 |
| 383 |
一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用 |
CN202010066141.9 |
2020-01-20 |
有效专利 |
| 384 |
生长单层磷化硅晶体的方法 |
CN202010312686.3 |
2020-04-20 |
有效专利 |
| 385 |
一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 |
CN202010506839.8 |
2020-06-05 |
有效专利 |
| 386 |
熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法 |
CN202010181843.1 |
2020-03-16 |
有效专利 |
| 387 |
一种单晶金刚石生长设备 |
CN202010974601.8 |
2020-09-16 |
审查中-实审 |
| 388 |
半导体金属二硫属化合物的单层膜、其制备方法及其用途 |
CN201610238135.0 |
2016-04-18 |
有效专利 |
| 389 |
一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元、系统和设备 |
CN201710049714.5 |
2017-01-23 |
有效专利 |
| 390 |
一种制备InSeI单晶体的方法 |
CN202010962172.2 |
2020-09-14 |
有效专利 |
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