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半导体结构及其形成方法
摘要文本
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在所述漂移区内形成凹槽；在所述凹槽内形成隔离层；在所述凹槽一侧的阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极层。本发明在漂移区内形成凹槽后，在所述凹槽内形成隔离层，随后在所述凹槽一侧的阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极层，与采用场极板技术相比，本发明能够避免栅极层受到鸟嘴效应的影响，而且，所述隔离层位于所述漂移区内，当LDMOS沟道导通后，能够起到延长电流流通路径长度的作用，从而提高了LDMOS的击穿电压、改善LDMOS的热载流子注入效应，使LDMOS的耐压性能和可靠性得到改善。。百度搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在所述漂移区内形成凹槽；在所述凹槽内形成隔离层，所述隔离层具有绝缘特性；在所述凹槽一侧的阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极层；其中，在同一工艺步骤中形成所述隔离层和所述栅极层。。（来 自 马 克 数 据 网）
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810827317.0 |
| 申请日 | 2018年7月25日 |
| 公告号 | CN110767548B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 发明人 | 杨震; 陈德艳; 赵连国; 彭昀鹏; 管伟 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号; 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |