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半导体器件及其形成方法
摘要文本
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口；在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；在第二区的开口内形成第二鳍部。所述方法提高了半导体器件的性能。
专利主权项内容
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口，所述第一鳍部包括：低掺杂鳍部层和位于低掺杂鳍部层顶部的高掺杂鳍部；在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；在第二区的开口内形成第二鳍部，所述第二鳍部的材料为单晶硅或硅锗；通过控制所述侧墙的厚度，控制相邻第一鳍部之间的第二鳍部的尺寸；去除第二区的侧墙和第二区的第一鳍部，暴露出所述第二鳍部的侧壁。。关注公众号马克数据网
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811637969.4 |
| 申请日 | 2018年12月29日 |
| 公告号 | CN111384172B |
| 公开日 | 2024年1月26日 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 发明人 | 王楠 |
| 地址 | 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号; 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |