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一种Clip结构的TO3P封装MOSFET芯片

申请号: CN202421144248.0
申请人: 安徽积芯微电子科技有限公司
更新日期: 2026-04-25

摘要文本

安徽积芯微电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种Clip结构的TO3P封装MOSFET芯片,包括底部基岛,底部基岛上安装有封装盖,封装盖与底部基岛之间存在封装空间,封装空间的内部设置有定位框,封装盖上设置有起到散热作用的散热板,定位框内填充有导热层,本实用新型通过封装盖与底部基岛紧密结合,形成一个封闭芯片的封装空间,在芯片工作时,芯片产生的热量传递至导热层,然后再由导热层传导至散热板,散热板设置在封装盖上作为主要的散热结构,将导热层传导过来的热量进一步散发到环境中,保持芯片的稳定工作温度。

专利主权项内容

1.一种Clip结构的TO3P封装MOSFET芯片,其特征在于,包括:
底部基岛(1);
封装盖(2),所述封装盖(2)安装在底部基岛(1)上,所述封装盖(2)与底部基岛(1)之间存在用于封装芯片的封装空间;
定位框(3),所述定位框(3)设置在封装空间内,用于限定并保持芯片在封装空间内的封装位置,且所述定位框(3)固定在封装盖(2)的内面中部;
散热板(5),所述散热板(5)设置在封装盖(2)上,所述散热板(5)具有朝外的一面及朝向封装空间的一面;
其中,所述定位框(3)内填充有导热层(4),所述导热层(4)的一面与芯片表面接触、另一面与散热板(5)朝向封装空间的一面接触。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种Clip结构的TO3P封装MOSFET芯片
专利类型 实用新型
申请号 CN202421144248.0
申请日 2024/5/21
公告号 CN222281984U
公开日 2024/12/31
IPC主分类号 H01L23/367
权利人 安徽积芯微电子科技有限公司
发明人 王赵翔; 张汝芹
地址 安徽省蚌埠市中国(安徽)自由贸易试验区蚌埠片区禹会区桥路2999号