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功率MOS场效应晶体管及半导体封装结构
摘要文本
合肥艾创微电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供一种功率MOS场效应晶体管及半导体封装结构，包括用于将栅极pad与各个元胞单元的多晶栅极电连接的多晶栅极Bus，该多晶栅极Bus包括：主通道多晶栅极Bus，用于电连接各个元胞单元的多晶栅极；以及栅极pad区多晶栅极Bus，设置于所述栅极pad周侧并与栅极pad及周边的多晶栅极电连接，该栅极pad区多晶栅极Bus通过副通道多晶栅极Bus与所述主通道多晶栅极Bus电连接。本实用新型通过对多晶栅极Bus的合理布局，采用栅极pad的非对称结构未引起更长的多晶栅到多晶栅极Bus的距离，从而提高器件的开关性能。
专利主权项内容
1.一种功率MOS场效应晶体管，包括漏极pad、源极pad和栅极pad，其特征在于，还包括用于将栅极pad与各个元胞单元的多晶栅极电连接的多晶栅极Bus，该多晶栅极Bus包括：
主通道多晶栅极Bus，用于电连接各个元胞单元的多晶栅极；以及
栅极pad区多晶栅极Bus，设置于所述栅极pad周侧并与栅极pad及周边的多晶栅极电连接，该栅极pad区多晶栅极Bus通过副通道多晶栅极Bus与所述主通道多晶栅极Bus电连接；
所述主通道多晶栅极Bus周边的多晶栅极的最远端距离该主通道多晶栅极Bus的长度a，与栅极pad区多晶栅极Bus朝向有源区边界的多晶栅极的最远端距离该栅极pad区多晶栅极Bus的长度b1，具有如下关系：a>b1。。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 功率MOS场效应晶体管及半导体封装结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323514978.3 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN222281988U |
| 公开日 | 2024/12/31 |
| IPC主分类号 | H01L23/495 |
| 权利人 | 合肥艾创微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 潘俊; 肖海林; 张胜源; 张灯奎 |
| 地址 | 安徽省合肥市肥西县经济开发区江淮大道与苏岗路交口合肥创新科技园B7幢1-5层 |