一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS

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泰科天润半导体科技(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供了一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS，包括：漂移层的下侧面连接至碳化硅衬底的上侧面；漏电抑制区下侧面连接至漂移层上侧面；导电区，导电区穿过漏电抑制区，且导电区下侧面连接至漂移层上侧面；栅介质层，栅介质层下侧面连接至漏电抑制区上侧面，栅介质层一侧面连接至导电区的侧面；栅介质层内设有沟槽；栅极金属层，栅极金属层设于沟槽内；漏极金属层，漏极金属层下侧面连接至导电区上侧面；以及，漏极金属层，漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，有效抑制漏极的电压过冲，避免漏极泄露过来的电流对碳化硅VDMOS的栅极产生大电场而出现失效的情况。