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一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构
申请人信息
- 申请人:成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室
- 发明人: 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420587604.X |
| 申请日 | 2024/3/25 |
| 公告号 | CN222051760U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L23/495 |
| 权利人 | 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司 |
| 发明人 | 刘勇; 罗鹏; 刘家才; 朱仁强 |
| 地址 | 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室; 广东省深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5188号前海深港青年梦工场北区4栋201A |
摘要文本
成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型涉及半导体封装技术领域,具体而言,涉及一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构,在传统框架上增加了金层,基板与增强型氮化镓功率芯片的源极通过第一金属线和金层导通,实现与基板的封装结构和氮化镓功率芯片衬底的互连,氮化镓功率芯片的栅极与漏极通过第一金属线与金层连接,再通过第二金属线与管脚连接,氮化镓芯功率芯片的各极通过高压隔离区进行隔离,如此便可再不改变通用TO‑247‑4框架结构的前提下完成增强型氮化镓功率半导体器件在此框架上的封装。
专利主权项内容
1.一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构,其特征在于,包括框架(1)、基板(2)、金层(3)和氮化镓功率芯片(4),还包括设置于所述框架(1)一侧的管脚(5);
所述框架(1)、基板(2)、金层(3)和氮化镓功率芯片(4)从下至上依次设置,所述氮化镓功率芯片(4)通过第一金属线(6)与所述金层(3)连接,所述金层(3)通过第二金属线(7)与所述管脚(5)连接。。来自