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高可靠性的SiC MOSFET器件
申请人信息
- 申请人:合肥矽普半导体科技有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-706
- 发明人: 合肥矽普半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高可靠性的SiC MOSFET器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323444184.4 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN222051772U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 合肥矽普半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 覃源; 高盼盼 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-706 |
摘要文本
合肥矽普半导体科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种高可靠性的SiC MOSFET器件，包括：一体区、一源区和一沟槽。其中，源区位于体区上方，沟槽位于体区，体区在纵向上向下延伸超出沟槽底部一定深度以致体区在沟槽下方形成N型参杂的耗尽层。降低了栅极沟槽底部的栅极氧化物处的电场强度，进而改善器件的可靠性。
专利主权项内容
1.一种高可靠性的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述高可靠性的SiC MOSFET器件包括：
一体区；
一源区，所述源区位于所述体区上方；
一沟槽，所述沟槽位于所述体区，所述体区在纵向上向下延伸超出所述沟槽底部一定深度，所述沟槽的上部具有间隔层，所述间隔层凸出于所述源区的顶部。 来自：www.