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一种低成本抗ESD的SGT器件
申请人信息
- 申请人:江苏芯唐微电子有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路599-1(1号楼)1401室
- 发明人: 江苏芯唐微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低成本抗ESD的SGT器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323343463.1 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN222051769U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 发明人 | 李明宇; 陈瑶 |
| 地址 | 江苏省无锡市滨湖区建筑西路599-1(1号楼)1401室 |
摘要文本
江苏芯唐微电子有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种低成本抗ESD的SGT器件,包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构,ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方,至少包括一个ESD多晶硅保护单元;对于任一ESD多晶硅保护单元,包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层;ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触,ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触。本实用新型有效减小了ESD保护结构的面积,降低了工艺的复杂度以及成本。
专利主权项内容
1.一种低成本抗ESD的SGT器件,其特征在于,包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构,其中,
所述ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方,至少包括一个ESD多晶硅保护单元;
对于任一ESD多晶硅保护单元,包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层;
所述ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触,ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触,以将所述ESD多晶硅保护单元串接于正面第一电极与正面第二电极之间。