← 返回列表

一种低成本抗ESD的SGT器件

申请号: CN202323343463.1
申请人: 江苏芯唐微电子有限公司
更新日期: 2026-04-25

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种低成本抗ESD的SGT器件
专利类型 实用新型
申请号 CN202323343463.1
申请日 2023/12/7
公告号 CN222051769U
公开日 2024/11/22
IPC主分类号 H01L27/02
权利人 江苏芯唐微电子有限公司
发明人 李明宇; 陈瑶
地址 江苏省无锡市滨湖区建筑西路599-1(1号楼)1401室

摘要文本

江苏芯唐微电子有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种低成本抗ESD的SGT器件,包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构,ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方,至少包括一个ESD多晶硅保护单元;对于任一ESD多晶硅保护单元,包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层;ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触,ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触。本实用新型有效减小了ESD保护结构的面积,降低了工艺的复杂度以及成本。

专利主权项内容

1.一种低成本抗ESD的SGT器件,其特征在于,包括第一导电类型衬底、制备于所述衬底中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端保护区以及制备于终端保护区内的ESD保护结构,其中,
所述ESD保护结构制备于终端保护区对应的衬底上方,至少包括一个ESD多晶硅保护单元;
对于任一ESD多晶硅保护单元,包括交替堆叠的N型多晶硅层以及P型多晶硅层;
所述ESD多晶硅保护单元与用于形成SGT器件正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触,ESD多晶硅保护单元同时与用于形成SGT器件正面第二电极的正面第二电极金属欧姆接触,以将所述ESD多晶硅保护单元串接于正面第一电极与正面第二电极之间。