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一种半导体结构

申请号: CN202420137582.7
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
更新日期: 2026-04-25

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种半导体结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420137582.7
申请日 2024/1/19
公告号 CN222051764U
公开日 2024/11/22
IPC主分类号 H01L23/544
权利人 合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人 李宁; 韩领; 丁贤林; 冯玲; 郑晓
地址 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

摘要文本

合肥晶合集成电路股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种半导体结构,属于半导体技术领域,所述半导体结构至少包括:衬底;有源区,多个所述有源区并列设置在所述衬底上,且相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构;多个栅极结构,多个所述栅极结构并列设置在所述有源区上,单个所述栅极结构横跨多个所述有源区,且相邻所述栅极结构之间设置有预设距离;检测图形,设置在所述衬底的中心,且位于相邻所述栅极结构之间;源漏极,设置在所述栅极结构两侧;第一接触孔,设置在所述有源区和所述栅极结构的两端;以及检测接触孔,间隔设置在相邻所述栅极结构之间的所述有源区上。本实用新型提供的一种半导体结构,能够有效测试半导体漏电缺陷,从而提高产品良率。

专利主权项内容

1.一种半导体结构,其特征在于,至少包括:
衬底;
有源区,多个所述有源区并列设置在所述衬底上,且相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构;
多个栅极结构,多个所述栅极结构并列设置在所述有源区上,单个所述栅极结构横跨多个所述有源区,且相邻所述栅极结构之间设置有预设距离;
检测图形,设置在所述衬底的中心,且位于相邻所述栅极结构之间;
源漏极,设置在所述栅极结构两侧;
第一接触孔,设置在所述有源区和所述栅极结构的两端;以及
检测接触孔,间隔设置在相邻所述栅极结构之间的所述有源区上。