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半导体装置
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420365346.0 |
| 申请日 | 2024/2/27 |
| 公告号 | CN222051761U |
| 公开日 | 2024/11/22 |
| IPC主分类号 | H01L23/528 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 梁顺鑫; 林侃儒; 朱家宏; 张阡; 简瑞宏; 王菘豊 |
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
摘要文本
台湾积体电路制造股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括位于基板上的通道区和与通道区相邻的源/漏极部件；位于源/漏极部件上方的硅化物部件、在硅化物部件上方的第一金属材料的第一金属层；位于第一金属层上方的第二金属材料的第二金属层，第一和第二金属层包括水平部分和垂直部分；位于第二金属层上方的金属填充层，使得金属填充层被包围在第二金属层的水平部分和垂直部分内；从金属填充层延伸的通孔以及位于通孔上方的第一金属线，第二金属层的水平部分和垂直部分之间的厚度差小于第一金属层的水平部分和垂直部分之间的厚度差。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：
位于一基板上的一通道区和与该通道区相邻的多个源/漏极部件；
位于该多个源/漏极部件上方的多个硅化物部件；
位于该多个硅化物部件上方的一第一金属材料的一第一金属层，其中该第一金属层包括多个水平部分和多个垂直部分；
位于该第一金属层上方的一第二金属材料的一第二金属层，该第一金属层与该第二金属层不同，其中该第二金属层包括多个水平部分和多个垂直部分；
位于该第二金属层上方的一金属填充层，使得该金属填充层被包围在该第二金属层的该多个水平部分和该多个垂直部分内；
从该金属填充层延伸的一通孔；以及
位于该通孔上方的一第一金属线，
其中该第二金属层的该多个水平部分和该多个垂直部分之间的厚度差小于该第一金属层的该多个水平部分和该多个垂直部分之间的厚度差。 （） （来 自 ）