一种分区掺杂的高耐压沟槽碳化硅VDMOS

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泰科天润半导体科技(北京)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供了一种分区掺杂的高耐压沟槽碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；第二漂移层下侧面连接至第一漂移层上侧面，所述第二漂移层上设有凹槽，所述凹槽底部两侧分别设有保护区；栅介质层，所述栅介质层设于所述凹槽上，所述栅介质层内设有沟槽；阱区，所述阱区连接至所述第二漂移层上侧面，所述阱区内设有源区，所述阱区一侧面以及源区一侧面连接至所述栅介质层侧面；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述阱区以及源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，实现了高耐压、低阻和高可靠的兼具，使得器件性能优良。