半导体结构与半导体结构的形成方法

摘要文本

长鑫存储技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底、第一缓冲结构、第二缓冲结构和导电结构，衬底包括相背的第一面和第二面；第一缓冲结构位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一面指向所述第二面的方向；第二缓冲结构位于所述第一缓冲结构的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；导电结构位于所述第一缓冲结构中，且沿所述第一方向延伸。本公开提供的半导体结构提高了应力释放能力，改善了半导体结构中应力集中的问题。