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半导体结构与半导体结构的形成方法
申请人信息
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 发明人: 长鑫存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构与半导体结构的形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202211067996.9 |
| 申请日 | 2022/9/1 |
| 公告号 | CN117673033A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L23/538 |
| 权利人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 发明人 | 张永会 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 |
摘要文本
一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底、第一缓冲结构、第二缓冲结构和导电结构，衬底包括相背的第一面和第二面；第一缓冲结构位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一面指向所述第二面的方向；第二缓冲结构位于所述第一缓冲结构的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；导电结构位于所述第一缓冲结构中，且沿所述第一方向延伸。本公开提供的半导体结构提高了应力释放能力，改善了半导体结构中应力集中的问题。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括相背的第一面和第二面；第一缓冲结构，位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一面指向所述第二面的方向；第二缓冲结构，位于所述第一缓冲结构的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；以及导电结构，位于所述第一缓冲结构中，且沿所述第一方向延伸。