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低电感功率模块

申请号: CN202420911876.0
申请人: 深圳市国微三代半导体技术有限公司
更新日期: 2026-05-18

摘要文本

深圳市国微三代半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种低电感功率模块,其中功率模块包括:绝缘外壳、散热底板和多个功率转换单元,散热底板与绝缘外壳连接;多个功率转换单元设于散热底板上,每个功率转换单元包括基板、多个铜夹和多个芯片,多个芯片的正面设有源极并分别通过铜夹与第一导电层连接,多个芯片的背面设有漏极并与第二导电层连接,多个芯片的栅极通过金属引线与第三导电层连接,采用的芯片为金属氧化物半导体场效应晶体管,芯片的源极采用铜夹结构实现芯片与基板的电气互连,相对于金属引线的连接方式,铜夹能够抵消更多由电流产生的磁通,从而能够有效地降低功率模块的寄生电感,芯片与基板、芯片与铜夹、铜夹与基板的互联采用纳米金属烧结工艺,提高互联处的热可靠性,基板的整体布局设计便于实现铜夹+纳米金属烧结工艺,从而实现模块低寄生电感的效果,提升模块可靠性。

专利主权项内容

1.一种低电感功率模块,其特征在于,包括:
绝缘外壳;
散热底板,与所述绝缘外壳连接;
多个功率转换单元,设于所述散热底板上,每个所述功率转换单元包括基板、多个铜夹和多个芯片,所述基板的正面设有第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述基板的背面与所述散热底板连接,多个所述芯片的正面设有源极并分别通过所述铜夹与所述第一导电层连接,多个所述芯片的背面设有漏极并与所述第二导电层连接,多个所述芯片的栅极通过金属引线与所述第三导电层连接,所述芯片为金属氧化物半导体场效应晶体管,多个所述芯片分为两组并分别组成上桥臂和下桥臂。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 低电感功率模块
专利类型 实用新型
申请号 CN202420911876.0
申请日 2024/4/28
公告号 CN222233633U
公开日 2024/12/24
IPC主分类号 H01L23/48
权利人 深圳市国微三代半导体技术有限公司
发明人 檀春健; 付嵩琦; 王少刚; 叶怀宇; 鲁纲
地址 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区沙河西路1801号国实大厦20D