一种沟槽型半导体器件

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世创微(福建)电子有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型公开了一种沟槽型半导体器件。该器件包括：衬底；设置于衬底一侧的沟道层，沟道层包括下凹部，沿衬底垂直指向沟道层的方向，下凹部的宽度逐渐增加；其中，下凹部的侧壁为沟道材料的半极性晶面；势垒层，势垒层位于沟道层背离衬底的一侧，沟道层与势垒层之间形成有二维电子气层。采用上述方案，可保证沟槽侧壁处的二维电子气的形成效果，增强沟槽侧壁处二维电子气的浓度，进而降低器件的导通电阻，提高正向导通率，同时兼顾器件的击穿电压。另外，设置沟槽侧壁为半极性晶面，也有利于提升沟道层之上膜层的外延生长质量，保证沟道层与势垒层相接面的平整性，进而降低二维电子气传输过程的晶格散射，提升器件整体性能。