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薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备

申请号: CN202311578564.9
申请人: 拓荆科技(上海)有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202311578564.9
申请日 2023/11/23
公告号 CN117448789A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 C23C16/455
权利人 拓荆科技(上海)有限公司
发明人 王政; 柴雪; 李晶; 田云龙
地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室

摘要文本

拓荆科技(上海)有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备,通过在加热盘承载区域的边缘部分设置环形的凸起结构或环形的凹陷结构,这样可以根据薄膜沉积过程中等离子体在晶圆中心部分还是边缘部分的分布强度大来相应在加热盘承载区域边缘部分设置凹陷结构或者凸起结构,以此承载区域边缘部分至喷淋板间的距离,相应降低或提高等离子体在承载区域边缘部分的分布强度,从而改变晶圆边缘部分沉积薄膜的质量,从而保证晶圆中心部分和边缘部分的薄膜质量均匀性。

专利主权项内容

1.一种薄膜沉积反应腔,其特征在于,包括腔体(40)以及位于所述腔体(40)内的喷淋板(20)和加热盘(10),所述喷淋板(20)和所述加热盘(10)相对且间隔设置,所述加热盘(10)朝向所述喷淋板(20)的一面具有与晶圆(30)尺寸相适配的承载区域,所述承载区域的边缘部分设置有环形的凸起结构(11)或环形的凹陷结构(12),所述凸起结构(11)的内沿相较于外沿更远离所述喷淋板(20),所述凹陷结构(12)的内沿相较于外沿更靠近所述喷淋板(20)。