不对称式SiC耐压MOSFET器件

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合肥矽普半导体科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型公开了一种不对称式SiC耐压MOSFET器件，包括：一外延层、一体区、一第一导电类型有源区和两间隔一定距离的沟槽。其中，体区位于外延层上方，有源区位于体区上方，沟槽的底部位于外延层内，沟槽向上延伸穿过体区直到第一导电类型有源区内，两沟槽的一拐角外侧有第二导电类型有源区。故相邻的沟槽之间掺杂区不对称，使得在形成离子通道的时候，在沟槽的拐角处不会形成很大的电场强度，进而不会将击穿沟槽。