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一种智能超材料结构
申请人信息
- 申请人:天津天达图治科技有限公司
- 申请人地址:301701 天津市武清区汽车产业园天瑞路3号3幢1层1079室
- 发明人: 天津天达图治科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种智能超材料结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311411431.2 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117148241B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G01R33/36 |
| 权利人 | 天津天达图治科技有限公司 |
| 发明人 | 庞彦伟; 贾雨祺; 金睿琦; 任群; 何宇清 |
| 地址 | 天津市武清区汽车产业园天瑞路3号3幢1层1079室 |
摘要文本
本发明公开一种智能超材料结构，涉及超材料结构领域，结构包括介质衬底、导体结构、可调电容和动态调谐装置；所述导体结构为圆环柱体的导体；所述导体结构的侧面设置径向对称的缺口；所述可调电容设置在所述缺口内；所述导体结构和所述可调电容设置在所述介质衬底上；所述动态调谐装置与所述可调电容连接；所述动态调谐装置用于在磁共振设备成像扫描过程中对所述可调电容的电容值进行控制。本发明适用于重要身体器官、结构稳定、便于调谐、增益较好、可实现非线性、实时动态调谐。 百度搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种智能超材料结构，其特征在于，包括：介质衬底、导体结构、可调电容和动态调谐装置；所述导体结构为圆环柱体的导体；所述导体结构的侧面设置径向对称的缺口；所述可调电容设置在所述缺口内；所述导体结构和所述可调电容设置在所述介质衬底上；所述动态调谐装置与所述可调电容连接；所述动态调谐装置用于在磁共振设备成像扫描过程中对所述可调电容的电容值进行控制; 所述导体结构包括多层分裂导体环和多根导体柱；所述分裂导体环堆叠设置；每层所述分裂导体环的侧面均设置径向对称的缺口；每层所述分裂导体环的缺口位置相同；所述可调电容设置在每层所述分裂导体环的缺口形成的空间内；分裂导体环和可调电容焊接在介质衬底上；多根所述导体柱间隔固定在每层所述分裂导体环侧面。